| n-ZnO/p-GaAs异质结光电探测器光电特性研究 |
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| 引用本文： | 张敏,张立春,董方营,李清山,张忠俊,赵风周. n-ZnO/p-GaAs异质结光电探测器光电特性研究[J]. 光电子．激光, 2015, 26(7): 1278-1283 |
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| 作者姓名： | 张敏 张立春 董方营 李清山 张忠俊 赵风周 |
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| 作者单位： | 鲁东大学 物理与光电工程学院,山东 烟台 264025;鲁东大学 物理与光电工程学院,山东 烟台 264025;鲁东大学 物理与光电工程学院,山东 烟台 264025;鲁东大学 物理与光电工程学院,山东 烟台 264025;光驰科技上海有限公司 薄 膜开发部,上海 200444;鲁东大学 物理与光电工程学院,山东 烟台 264025 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金(ZR2014AM027)、山东省高等学校科技计划(J14LJ04)和鲁东大学科 研基金(LY2014006)资助项目 (1.鲁东大学 物理与光电工程学院,山东 烟台 264025; 2.光驰科技(上海)有限公司 薄膜开发部,上海 200444) |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在p-GaAs外延片 上生长了n型ZnO薄膜,制备了n-ZnO薄膜/p-GaAs 异质结光电探测器原型器件。X射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明, 生长在GaAs表面上的ZnO薄膜具有较高的结晶质量。在反向偏压下,器件表现出良好的近红 外探测性能,工作电压在－0.5V到－4.0V时,光谱响应 度峰值在850nm附近；当反向电压为－2.0V 时,光响应度达到饱和 ,响应度峰值达到10.17A/W。而比探测 率峰值则在－2.0V达到最大值2.06×1010 cm Hz1/2/W, 之后下降。反向工作电压下的光谱响应度和比探测率曲线表明, 器件对850nm附近的近红外光具有较强的选择性(FWHM 约为30nm)。
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| 关 键 词： | 探测器 异质结 ZnO GaAs 响应度 |
| 收稿时间： | 2015-02-28 |
Fabrication and the photoelectric properties of n-ZnO/p-GaAs thin-film heterojunction photodetectors |
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| ZHANG Min,ZHANG Li-chun,DONG Fang-ying,LI Qing-shan,ZHANG Zh ong-jun and ZHAO Feng-zhou. Fabrication and the photoelectric properties of n-ZnO/p-GaAs thin-film heterojunction photodetectors[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2015, 26(7): 1278-1283 |
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| Authors: | ZHANG Min ZHANG Li-chun DONG Fang-ying LI Qing-shan ZHANG Zh ong-jun ZHAO Feng-zhou |
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| Affiliation: | School of Physics and Optoelectronic Engineering,Ludong University,Yantai 264025,China;School of Physics and Optoelectronic Engineering,Ludong University,Yantai 264025,China;School of Physics and Optoelectronic Engineering,Ludong University,Yantai 264025,China;School of Physics and Optoelectronic Engineering,Ludong University,Yantai 264025,China;Coating Research and Development Center,OPTORUNShanghaiCo.,L td.,Shanghai 200444,China;School of Physics and Optoelectronic Engineering,Ludong University,Yantai 264025,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photodetector heterojunction ZnO GaAs responsivity |
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