| GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,张勇,Mascarenhas A,辛火平,杜武青. GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱[J]. 半导体学报, 2003, 24(7): 714-717 |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 Mascarenhas A 辛火平 杜武青 |
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| 作者单位： | [1]厦门大学物理系，厦门361005 [2]美国可再生能源实验室 [3]美国加利弗尼亚大学电机工程系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60276002; |
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| 摘 要： | 在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品
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| 关 键 词： | GaP1-xNx 喇曼散射 混晶 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)07-0714-04 |
| 修稿时间： | 2002-08-11 |
Raman Scattering of GaP1-xNx Alloys |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaP_ 1- x N_ x Raman scattering alloy |
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