| 浅谈存储器测试 |
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| 引用本文： | 刘珊珊,康锡娥,马菲.浅谈存储器测试[J].微处理机,2008,29(1):14-15. |
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| 作者姓名： | 刘珊珊 康锡娥 马菲 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032
2. 辽宁石化职业技术学院自动化系,锦州,121001 |
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| 摘 要： | 随着半导体存储器向多品种、高速和高集成化等方向发展,测试问题显得越来越突出和重要。下面主要介绍了存储器电路的分类,以及存储器电路的测试参数和测试向量。
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| 关 键 词： | 测试 存储器 测试向量 |
| 文章编号： | 1002-2279(2008)01-0014-02 |
| 修稿时间： | 2006年12月19 |
Shallow to Talk About Memory Test |
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| LIU Shan-shan,KANG Xi-e,MA Fei.Shallow to Talk About Memory Test[J].Microprocessors,2008,29(1):14-15. |
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| Authors: | LIU Shan-shan KANG Xi-e MA Fei |
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| Abstract: | Now it becomes more and more important and highlighted in the testing of semiconductor memory by the development of its varieties,high-speed and high-integrated intention.The authors mainly show us the assorting of memory,the testing parameters and the testing vector of memory circuits. |
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| Keywords: | Test Memory Testing vector |
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