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两步合金法制作p-GaN高反电极
引用本文:郭德博,梁萌,范曼宁,刘志强,王良臣,王国宏.两步合金法制作p-GaN高反电极[J].光电子.激光,2008,19(7).
作者姓名:郭德博  梁萌  范曼宁  刘志强  王良臣  王国宏
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京,100083
摘    要:利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极.电极的构成采用透明电极 高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高.可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降.最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极.

关 键 词:p型GaN  欧姆接触  两步合金法  高反射电极

Ohmic contacts of high reflective poles on p-GaN using two-step anneal method
GUO De-bo,LIANG Meng,Fan Man-ning,LIU Zhi-qiang,WANG Liang-chen,WANG Guo-hong.Ohmic contacts of high reflective poles on p-GaN using two-step anneal method[J].Journal of Optoelectronics·laser,2008,19(7).
Authors:GUO De-bo  LIANG Meng  Fan Man-ning  LIU Zhi-qiang  WANG Liang-chen  WANG Guo-hong
Affiliation:GUO De-bo,LIANG Meng,Fan Man-ning,LIU Zhi-qiang,WANG Liang-chen,WANG Guo-hong(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)
Abstract:
Keywords:p-GaN  ohmic contact  two-step anneal method  high reflective contacts  
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