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一种1.2V,80mA,5μF快速瞬态响应、高稳定性LDO的设计
引用本文:杨洁,曾云,杨艳军.一种1.2V,80mA,5μF快速瞬态响应、高稳定性LDO的设计[J].固体电子学研究与进展,2013,33(1):92-96.
作者姓名:杨洁  曾云  杨艳军
作者单位:湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082
摘    要:基于上华0.5μm工艺,设计了输入电压为1.5V,输出电压为1.2V,最大输出电流为80mA,用于DC/DC里的CMOS低压差线性稳压器(Low-dropout regulator),作为带隙基准输出端的后续模块,以达到滤波和提高参考电压精度的目的。提出了一种补偿网络,可以保证负载电流发生变化时,相位裕量不发生变化;在补偿网络的基础上添加一个感应电容能够快速跟踪极点的变化,从而保证在负载电流跳变瞬间稳定性保持不变,防止了输出电压发生振荡的情形。此外,设计了一种瞬态响应提高电路结构来改善负载瞬态响应。仿真结果表明,在tt corner下该LDO线性稳压器在负载电流为1mA和80mA时的相位裕度均为83°,环路增益为80dB,流片测试结果显示过冲电压和欠冲电压均不超过100mV。

关 键 词:补偿网络  感应电容  瞬态响应改善电路  低压差线性稳压器
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