| 高性能可配置带隙基准源的设计 |
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| 引用本文： | 尹勇生,权磊,邓红辉.高性能可配置带隙基准源的设计[J].电子测量与仪器学报,2012,26(12):1056-1061. |
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| 作者姓名： | 尹勇生 权磊 邓红辉 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学微电子设计研究所,合肥,230009 |
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| 摘 要： | 为满足高性能模拟及数模混合集成电路中多种基准电压的需求,设计了可配置,低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电压源。通过逻辑电路控制,可配置电路使带隙基准源输出4种不同的参考电压;带隙基准源核心电路采用改进的Brokaw结构,输出电压为0.5 V。基于Chartered 0.18μm Mixed Signal 1P5M工艺模型,在电源电压1.8 V下,对设计的电路进行了仿真验证。仿真结果显示,可配置基准电压源可以实现4种不同的参考电压;在TT工艺角下,-40～125℃的温度范围内,基准源核心输出电压的温度系数达到9.2×10-6/℃;低频时,电源抑制比为107.2 dB,满足了设计指标要求。
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| 关 键 词： | 带隙基准源 可配置 温度系数 电源抑制比 |
Design of a high performance and configurable bandgap reference source |
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| Yin Yongsheng
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Quan Lei
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Deng Honghui.Design of a high performance and configurable bandgap reference source[J].Journal of Electronic Measurement and Instrument,2012,26(12):1056-1061. |
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| Authors: | Yin Yongsheng Quan Lei Deng Honghui |
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| Affiliation: | Yin Yongsheng Quan Lei Deng Honghui(Institute of VLSI Design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China) |
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