| 新型半导体纳米材料的主要制备技术 |
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| 引用本文： | 李华乐,成立,王振宇,李加元,贺星,瞿烨.新型半导体纳米材料的主要制备技术[J].半导体技术,2006,31(3):217-221,226. |
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| 作者姓名： | 李华乐 成立 王振宇 李加元 贺星 瞿烨 |
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| 作者单位： | 江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金 |
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| 摘 要： | 简要论述了半导体纳米材料的发展历史及其特点,着重讨论了当前国内外主要的几种半导体纳米材料的制备工艺技术,包括溶胶-凝胶法、微乳液法、模板法、基于MBE和MOCVD的纳米材料制备法、激光烧蚀法和应变自组装法等,并分析了以上几种纳米材料制备技术的优缺点及其应用前景.
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| 关 键 词： | 纳米材料 溶胶-凝胶法 分子束外延 金属有机物化学气相淀积 激光烧蚀淀积 应变自组装法 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）03-0217-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-25 |
| 修稿时间： | 2005-12-25 |
Several Major Fabrication Technologies of Novel Semiconductor Nanometer Materials |
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| LI Hua-le,CHENG Li,WANG Zhen-yu,LI Jia-yuan,HE Xing,QU Ye.Several Major Fabrication Technologies of Novel Semiconductor Nanometer Materials[J].Semiconductor Technology,2006,31(3):217-221,226. |
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| Authors: | LI Hua-le CHENG Li WANG Zhen-yu LI Jia-yuan HE Xing QU Ye |
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| Affiliation: | Institute of Electricity and Information, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China |
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| Abstract: | The development history and their characteristics of semiconductor nanometer materials are introduced. Several major fabrication technologies of semiconductor nanometer materials are discussed, including sol-gel process, tiny-latex process, template process, based on MBE and MOCVD, laser-ablation and strain-induced self-organized process, their advantages and disadvantages and their prospects are analyzed. |
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| Keywords: | nanometer material sol-gel process MBE MOCVD laser ablation deposition strain-induced self-organized process |
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