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| 可达到40Gb／S的材料选择：SiGe与GaAs和InP的比较 | |
| 引用本文： | 何君.可达到40Gb／S的材料选择：SiGe与GaAs和InP的比较[J].半导体情报,2001,38(6):8-12. |
| 作者姓名： | 何君 |
| 摘 要： | 对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行比较，还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析。 |
| 关 键 词： | 40Gb／s 锗化硅 砷化镓 磷化铟 半导体材料 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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