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| 砷化镓肖特基势垒光电二极管 | |
| 作者姓名： | 吴茂林 |
| 摘 要： | 美国某公司试制成带宽为100千兆赫的平面型砷化镓(GaAs)肖特基势垒光电二极管.基片是平面的半绝缘性GaAs,在它上面用液相外延法形成0.4微米厚的N~+GaAs层和0.3微米厚的NGaAs层.NGaAs层的自由电子密度为1×10~(17)/厘米~3;对肖特基势垒和 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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