| 深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化 |
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| 引用本文： | 杨媛,高勇,巩鹏亮,刘静.深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化[J].功能材料与器件学报,2008,14(5). |
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| 作者姓名： | 杨媛 高勇 巩鹏亮 刘静 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 摘 要： | 在300-600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI(Silicon On Insulator)和SOAN(Silicon On Aluminum Nitride)MOSFETs的输出特性和有源区温度分布,得出了SOAN器件更适合高温应用的结论;针对高温应用环境,对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化,得出了各个参数的优化值,并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性,结果显示在环境温度为300K和500K时,SOAN CMOS门极延迟分别为19ps、25.5ps;而SOI CMOS的门极延迟在相同的温度下分别为28.5ps、35.5ps.
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| 关 键 词： | 高温 SOAN SOI 结构优化 |
High temperature application analysis and structural optimization of DSM SOAN MOSFETs |
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| YANG Yuan,GAO Yong,GONG Peng-liang,LIU Jing.High temperature application analysis and structural optimization of DSM SOAN MOSFETs[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(5). |
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| Authors: | YANG Yuan GAO Yong GONG Peng-liang LIU Jing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOAN SOI |
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