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| 亚微米技术探讨 | |
| 引用本文： | 郭士东. 亚微米技术探讨[J]. 微处理机, 1995, 0(2): 1-4 |
| 作者姓名： | 郭士东 |
| 作者单位： | 电子工业部东北微电子研究所!沈阳，110032 |
| 摘 要： | 本文首先叙述0．5μmCMOSIC技术，然后探讨了利用室温液相氧化淀积实现的全对称7块掩模CMOS工艺及0．25～0．1μmCMOS工艺技术。 |
| 关 键 词： | 轻掺杂漏 活性离子刻蚀 超浅结 互连 TDDB |
Inquire into Submicron Technology |
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| Guo Shidong. Inquire into Submicron Technology[J]. Microprocessors, 1995, 0(2): 1-4 | |
| Authors: | Guo Shidong |
| Affiliation: | Guo Shidong |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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