漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT的研究（Ⅰ）

提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB）。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423～573K范围的温度特性。指出，通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流，很高的截止态击穿电压，足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出，它不仅适用于高温低压应用，而且适用于高温高压应用。