碳化钨对放电等离子烧结氮化硅陶瓷的致密化及力学性能的影响 |
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引用本文: | 刘剑,李志坚,罗旭东,谢志鹏.碳化钨对放电等离子烧结氮化硅陶瓷的致密化及力学性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2018(Z1). |
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作者姓名: | 刘剑 李志坚 罗旭东 谢志鹏 |
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作者单位: | 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室;辽宁科技大学 |
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摘 要: | 用氧化铝-氧化钇作为烧结助剂,采用特制的碳化钨球磨罐与球磨子,通过机械球磨的方法向氮化硅陶瓷中引入碳化钨(WC),采用放电等离子烧结技术(SPS)进行快速烧结,制备出了高力学性能的β相氮化硅陶瓷。分析了碳化钨对氮化硅陶瓷致密化及力学性能的影响,结果表明:碳化钨的引入有效地降低了β相沉淀析出并继续生长的激活能,促进了氮化硅陶瓷α相→β相转变,实现烧结试样的致密化;随着碳化钨引入量的增加,烧结试样的抗弯强度从729 MPa急剧增加至1090 MPa,提高了49.5%。
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