| 二氧化钒薄膜材料相变临界场强调控方法研究 |
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| 引用本文： | 山世浩,王庆国,曲兆明,成伟,李昂. 二氧化钒薄膜材料相变临界场强调控方法研究[J]. 材料导报, 2018, 32(6): 870-873 |
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| 作者姓名： | 山世浩 王庆国 曲兆明 成伟 李昂 |
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| 作者单位： | 军械工程学院静电与电磁防护研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51277180) |
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| 摘 要： | 采用无机溶胶-凝胶法并结合真空退火工艺在Al_2O_3陶瓷基片上制备了二氧化钒及其他价态钒氧化物共存的薄膜材料。研究了退火时间对VO_2、V_2O_5、V_6O_(13)、V_6O_(11)等价态成分和含量的影响以及对薄膜的相变临界温度和相变临界电场强度的影响。实验采用的退火时间分别为10h、8h及6h,得到的薄膜的相变临界电场强度分别为1.8 MV/m、0.8 MV/m及0.4 MV/m,相变场强降低75%以上,且随着电场强度相变点的降低,薄膜材料相变点前后电阻变化倍数也降低,但相变临界温度没有明显变化。研究结果表明:通过控制真空退火时间能够实现对电场强度相变点的有效调控,利用该方法可以研制不同相变临界场强的薄膜材料,以适应不同电磁环境的防护应用要求。
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| 关 键 词： | 无机溶胶-凝胶法 二氧化钒薄膜 真空退火 相变临界场强 |
Critical Field Intensity Control for Metal-insulator Transition of Vanadium Dioxide Thin Film:a Methodological Study |
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| SHAN Shihao,WANG Qingguo,QU Zhaoming,CHENG Wei and LI Ang. Critical Field Intensity Control for Metal-insulator Transition of Vanadium Dioxide Thin Film:a Methodological Study[J]. Materials Review, 2018, 32(6): 870-873 |
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| Authors: | SHAN Shihao WANG Qingguo QU Zhaoming CHENG Wei LI Ang |
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| Affiliation: | Institute of Electrostatic & Electromagnetic Protection, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003,Institute of Electrostatic & Electromagnetic Protection, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003,Institute of Electrostatic & Electromagnetic Protection, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003,Institute of Electrostatic & Electromagnetic Protection, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003 and Institute of Electrostatic & Electromagnetic Protection, Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | inorganic sol-gel method vanadium dioxide thin film vacuum annealing critical field intensity |
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