| 热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究 |
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| 引用本文： | 赵丽特,范东华,代福,朱慧群,陈毅湛,王忆,罗仁华.热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究[J].材料导报,2018,32(Z1):50-53. |
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| 作者姓名： | 赵丽特 范东华 代福 朱慧群 陈毅湛 王忆 罗仁华 |
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| 作者单位： | 五邑大学应用物理与材料学院 |
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| 基金项目： | 五邑大学青年基金(2015zk13)；江门市基础与理论科学研究类科技计划项目(〔2016〕189号)；广东省高校创新团队资助项目(2015KCXTD027)；广东省教育厅高校特色创新项目(2014KTSCX129)；广东省教育厅2015年青年创新人才类项目(2015KQNCX170) |
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| 摘 要： | 本工作采用热蒸发法制备了多孔Si/SiO_2薄膜,利用拉曼、红外、XRD研究了薄膜的结构,SEM研究了表面形貌,使用光致发光(PL)谱对其发光特性进行了研究。结果表明,激发波长为325nm(2.88eV)时,样品的峰位分别在430nm(2.88eV)、441nm(2.81eV)、523nm(2.47eV)、554nm(2.24eV),激发波长为488nm时,峰位在570nm(2.18eV),采用施主态Si悬挂键≡Si 0位于2.81eV,受主态Si悬挂键≡Si-位于3.00eV处,引入SiOx(x小于2)和Si-O-Si缺陷态能级,能级分别为5.05eV和0.63eV,建立了Si/SiO_2薄膜的能隙态(EGS)模型,并讨论了其发光机制。
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| 关 键 词： | 薄膜 多孔 Si/SiO2 光致发光 能隙态模型 |
Study on the Property of Porous Si/SiO2 Films Deposited by Thermal Evaporation |
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| ZHAO Lite,FAN Donghu,DAI Fu,ZHU Huiqun,CHEN Yizhan,WANG Yi and LUO Renhua.Study on the Property of Porous Si/SiO2 Films Deposited by Thermal Evaporation[J].Materials Review,2018,32(Z1):50-53. |
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| Authors: | ZHAO Lite FAN Donghu DAI Fu ZHU Huiqun CHEN Yizhan WANG Yi and LUO Renhua |
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| Affiliation: | School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020,School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020,School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020,School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020,School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020,School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020 and School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen 529020 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin films porous Si/SiO2 photoluminescence gap state model |
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