CdS、CdSe协同敏化ZnO薄膜电极及光电化学性能 |
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引用本文: | 赵文燕,田传进,谢志鹏,汪长安,付乌有,杨海滨.CdS、CdSe协同敏化ZnO薄膜电极及光电化学性能[J].稀有金属材料与工程,2018(Z1). |
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作者姓名: | 赵文燕 田传进 谢志鹏 汪长安 付乌有 杨海滨 |
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作者单位: | 景德镇陶瓷大学;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室;吉林大学超硬材料国家重点实验室 |
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摘 要: | 首先采用提拉法,在透明导电玻璃(FTO)表面制备ZnO籽晶层,然后用水热法制备ZnO纳米棒阵列,再用连续离子层吸附法(SILAR)成功地将Cd S、Cd Se量子点沉积在ZnO表面,形成光阳极。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(SEM),电化学工作站研究了样品的结构、形貌和光电化学性能。结果表明:与ZnO纳米棒相比,复合Cd S、Cd Se以后,样品的光电性能有很大的提高。其中,Cd S、Cd Se的沉积圈数均为4圈时,Cd Se(4c)/Cd S(4c)/ZnO样品的光电转换效率最大,为1.894%,是纯ZnO电极的17倍。
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