LaAl_(1-x)Ga_xO_3非晶制备及性能研究(英文) |
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引用本文: | 张敏,张晓燕,齐西伟,李颖,彭斌.LaAl_(1-x)Ga_xO_3非晶制备及性能研究(英文)[J].稀有金属材料与工程,2018(Z1). |
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作者姓名: | 张敏 张晓燕 齐西伟 李颖 彭斌 |
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作者单位: | 东北大学;东北大学秦皇岛分校河北省电解质功能材料重点实验室;东北大学秦皇岛分校 |
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摘 要: | 采用溶胶-凝胶法和无容器凝固技术制备了LaAl_(1-x)Ga_xO_3粉末和非晶。在B位,Ga~(3+)取代Al~(3+)的掺杂量从x=0增加到x=1.0。XRD结果表明,煅烧温度为850℃时,所有组分得到的粉体均为无杂相的钙钛矿相。XRD的数据也证明了实验制备的非晶球为非晶。随着Ga~(3+)含量的增加,100 k Hz的介电常数在15~19之间,对应的介电损耗小于0.007。所制备的非晶材料具有低至10~(-11 )A/cm~2的漏电流,同时呈现较高的折射率,在633 nm均大于1.8。
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