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| 一种基于0.18μm CMOS工艺用于卫星导航系统射频前端双模低噪声放大器设计 | |
| 引用本文： | 李兵,庄奕琪,李振荣,靳刚.一种基于0.18μm CMOS工艺用于卫星导航系统射频前端双模低噪声放大器设计[J].半导体学报,2010,31(12):125001-7. |
| 作者姓名： | 李兵 庄奕琪 李振荣 靳刚 |
| 摘 要： | 本文介绍了一种用于全球卫星导航系统射频前端的双频点低噪声放大器的设计,讨论了针对双频点或多频点的低噪声放大器的设计方法,分析了具体的电路设计和相关参数的确定并进行仿真.采用台积电0.18um 1P4M射频CMOS工艺进行流片验证,低噪声放大器噪声特性可分别在两个频点1.27GHz和1.575GHz处达到16.8dB和18.9dB,实测噪声系数可达1.5dB~1.7dB之间.此结构在1.8V工作电压下,电流小于4.3mA.流片结果与原设计情况相符,完全满足射频前端接收机的需求. |
| 关 键 词： | CMOS 低噪声放大器 低功耗 双模 噪声系数 卫星导航系统 射频前端 |
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