| 自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 |
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| 引用本文： | 王延锋,孙海峰,刘新宇,和致经,吴德馨.自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器[J].半导体学报,2003,24(4). |
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| 作者姓名： | 王延锋 孙海峰 刘新宇 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究.采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件平均阈值电压为1.15V,单指管子电流增益为50,发射极面积4μm×14μm的单管在IB=200μA和VCE=2V偏压条件下截止频率达到了40GHz.设计并制作了直接反馈和CE-CC-CC两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时分别为50.6dBΩ和45.1dBΩ,3dB带宽分别为2.7GHz和2.5GHz,电路最小噪声系数分别为2.8dB和3.2dB.
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| 关 键 词： | 自对准工艺 InGaP/GaAs HBT 跨阻放大器 |
Self-Aligned InGaP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier |
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