| 18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析 |
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| 引用本文： | 孙加兴,叶青,周玉梅,叶甜春.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析[J].半导体学报,2003,24(10). |
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| 作者姓名： | 孙加兴 叶青 周玉梅 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题.在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律,这些规律对以后的设计有一定的指导意义.
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| 关 键 词： | 互连线延迟 信号完整性 串扰 噪声 |
Signal Integrity for 0.18μm CMOS Technology |
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| SUN Jiaxing,Ye Qing,ZHOU Yumei,Ye Tianchun.Signal Integrity for 0.18μm CMOS Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(10). |
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| Authors: | SUN Jiaxing Ye Qing ZHOU Yumei Ye Tianchun |
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| Abstract: | The signal integrity problem in 0.18μm CMOS technology is analyzed from simulation.Several rules in this phenomenon are found by analyzing the crosstalk delay and noise,which are helpful for the future circuit design. |
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| Keywords: | interconnect delay signal integrity crosstalk noise |
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