电子束直写邻近效应校正技术 |
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引用本文: | 陈宝钦,任黎明,刘明,王云翔,龙世兵,陆晶,李泠. 电子束直写邻近效应校正技术[J]. 半导体学报, 2003, 24(Z1) |
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作者姓名: | 陈宝钦 任黎明 刘明 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠 |
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作者单位: | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029 2. 北京大学微电子学系,北京,100871 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金 |
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摘 要: | 通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正达到预期的效果.
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关 键 词: | 纳米结构图形 电子束直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正 |
Proximity Effect Correction Technique in Electron-Beam Direct Writing |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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