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电子束直写邻近效应校正技术
引用本文:陈宝钦,任黎明,刘明,王云翔,龙世兵,陆晶,李泠. 电子束直写邻近效应校正技术[J]. 半导体学报, 2003, 24(Z1)
作者姓名:陈宝钦  任黎明  刘明  王云翔  龙世兵  陆晶  李泠
作者单位:1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
2. 北京大学微电子学系,北京,100871
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金
摘    要:通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正达到预期的效果.

关 键 词:纳米结构图形  电子束直写  蒙特卡罗模拟  邻近效应校正

Proximity Effect Correction Technique in Electron-Beam Direct Writing
Abstract:
Keywords:
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