| 双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si的外延生长 |
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| 引用本文： | 谭利文,王俊,王启元,郁元桓,邓惠芳,王建华,林兰英.双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si的外延生长[J].半导体学报,2003,24(12). |
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| 作者姓名： | 谭利文 王俊 王启元 郁元桓 邓惠芳 王建华 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al2O3/Si SOI材料.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)及俄歇能谱(AES)对材料进行了表征.测试结果表明,外延生长的γ-Al2O3和Si薄膜都是单晶薄膜,其结晶取向为(100)方向,外延层中Al与O化学配比为2:3.同时,γ-A12O3外延层具有良好的绝缘性能,其介电常数为8.3,击穿场强为2.5MV/cm.AES的结果表明,Si/γ-Al2O3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰.
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| 关 键 词： | SOI MOCVD 双异质外延 Si/γ-Al2O3/Si |
Growth of Double Heteroepitaxial SOI Materials of Si/γ-Al2O3/Si |
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