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| GaAs微条粒子探测器的辐照特性 | |
| 引用本文： | 邵传芬,朱美华,史常忻. GaAs微条粒子探测器的辐照特性[J]. 半导体学报, 2003, 24(2) |
| 作者姓名： | 邵传芬 朱美华 史常忻 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030 2. 上海交通大学物理系,上海,200030 |
| 摘 要： | 设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm. |
| 关 键 词： | 微条 砷化镓 探测器 |
Irradiation Characteristic of GaAs Microstrip Particle Detectors |
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