| 低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 |
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| 引用本文： | 郑丽萍,严北平,孙海锋,刘新宇,和致经,吴德馨.低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管[J].半导体学报,2003,24(3). |
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| 作者姓名： | 郑丽萍 严北平 孙海锋 刘新宇 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(double heterojunction bipolar transistor,DHBT).器件性能如下:BE结的正向开启电压(turn-on voltage)仅为0.73V;当IB=1μA/step时,直流增益达到了100,BVCEO=5～6V.通过对基区不同Sb含量器件的比较得到,器件的直流特性与基区Sb的含量有关.
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| 关 键 词： | 开启电压 GaAsSb 双异质结晶体管 |
Low Turn-on Voltage of InGaP/GaAsSb/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor |
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