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| GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱 | |
| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,张勇,MASCARENHAS A,辛火平,杜武青.GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱[J].半导体学报,2003,24(7). |
| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 MASCARENHAS A 辛火平 杜武青 |
| 作者单位： | 1. 厦门大学,物理系,厦门,361005 2. 美国可再生能源实验室 3. 美国加利弗尼亚大学,电机工程系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金 |
| 摘 要： | 在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰. |
| 关 键 词： | GaP1-xNx 喇曼散射 混晶 |
Raman Scattering of GaP1-xNx Alloys |
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