| 立方相GaN的持续光电导 |
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| 引用本文： | 张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉.立方相GaN的持续光电导[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 张泽洪 赵德刚 孙元平 冯志宏 沈晓明 张宝顺 冯淦 郑新和 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，NSFC-RGC联合基金 |
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| 摘 要： | 研究了金属有机物化学气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相GaN的持续光电导效应.在六方相GaN中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关,而实验则显示在立方GaN中,持续光电导效应与其中的六方相GaN夹杂有关系,而与黄光发射没有关系.文中提出,立方相GaN与其中的六方相GaN夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因.通过建立势垒限制复合模型,解释了立方相GaN的持续光电导现象的物理过程,并对光电导衰减过程的动力学作了分析.对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的.
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| 关 键 词： | GaN 持续光电导 立方相 空间载流子分离 势垒限制复合 |
Investigation on Persistent Photoconductivity Effect in Cubic GaN |
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