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| 6H-SiC Schottky二极管的正向特性 | |
| 引用本文： | 尚也淳,刘忠立,王姝睿. 6H-SiC Schottky二极管的正向特性[J]. 半导体学报, 2003, 24(5) |
| 作者姓名： | 尚也淳 刘忠立 王姝睿 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,微电子研究发展中心,北京,100083 |
| 摘 要： | 提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高.该模型能够对不同温度下SiC Schottky结正向特性很好地进行模拟,模拟结果和测量数据相符.它更适用于考虑器件温度变化的场合,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系. |
| 关 键 词： | SiC Schottky结 势垒不均匀性 界面层 |
Forward Characteristics of 6H-SiC Schottky Contacts |
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