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| 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法 | |
| 引用本文： | 王存达,曾志斌,张国义,沈君,朱传云. 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法[J]. 半导体学报, 2003, 24(12) |
| 作者姓名： | 王存达 曾志斌 张国义 沈君 朱传云 |
| 作者单位： | 1. 天津大学应用物理学系,天津,300072;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 2. 天津大学应用物理学系,天津,300072 3. 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
| 摘 要： | 提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值.用此方法对Ni/n-GaN肖特基二极管进行了检测,所有的实验结果与理论分析相符合.实验中确认了在GaN肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在. |
| 关 键 词： | 半导体二极管 正向电特性 串联模式 界面层 负电容 |
A New Method of Accurate Electrical Characterization of Semiconductor Diodes at Forward Bias |
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