| 氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化 |
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| 引用本文： | 祝洪良,杨德仁,汪雷,裴艳丽,阙端麟,张寒洁,何丕模.氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化[J].半导体学报,2003,24(10). |
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| 作者姓名： | 祝洪良 杨德仁 汪雷 裴艳丽 阙端麟 张寒洁 何丕模 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
2. 浙江大学物理系,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3N4)薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜.
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| 关 键 词： | 氮化硅 X射线光电子谱 氮化 |
Direct-Nitridation of Silicon by Heat-Treating at High Temperature in Nitrogen Ambience |
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