| 基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC |
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| 引用本文： | 于雪峰,石寅.基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC[J].半导体学报,2003,24(11). |
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| 作者姓名： | 于雪峰 石寅 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策,研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器(DAC)IP核的设计与实现.采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构,优化了电流源开关电路结构与开关次序;利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法.在0.6μm N阱CMOS工艺平台下,12-bit DAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB,在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均功耗为140mW.流片一次成功,主要性能指标满足设计要求.
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| 关 键 词： | D/A转换器 CMOS混合集成电路 制作工艺离散性 中心对称 Skill语言 |
High-Performance CMOS D/A Converter Based on Offsetting Variations in Processing |
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