| 50nm SOI-DTMOS器件的性能 |
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| 引用本文： | 陈国良,黄如.50nm SOI-DTMOS器件的性能[J].半导体学报,2003,24(10). |
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| 作者姓名： | 陈国良 黄如 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用二维器件模拟软件ISE对50nm沟道长度下SOI-DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在50nm沟长下,SOI-DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件.SOI-DTMOS器件具有更好的亚阈值特性,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级,从而使其具有更低的静态功耗.同时,SOI-DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能.对SOI-DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质,同时也指出了进一步研究的方向.
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| 关 键 词： | 50nm SOI-DTMOS器件 模拟 |
50nm SOI-DTMOS Device Performances |
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