| 晶体硅中的铁沉淀规律 |
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| 引用本文： | 席珍强,杨德仁,陈君,王晓泉,汪雷,阙端麟,H.J.Moeller.晶体硅中的铁沉淀规律[J].半导体学报,2003,24(11). |
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| 作者姓名： | 席珍强 杨德仁 陈君 王晓泉 汪雷 阙端麟 H.J.Moeller |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,3100271
2. Institute for Experimental Physics,TU-Freiberg,SilbermannStr.1,09596 Freiberg,Germany |
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| 摘 要： | 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经1100℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大;在铸造多晶硅中,铁易在晶界上沉淀,沉淀规律也依赖于冷却速度.表面光电压仪测试结果表明:无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大.实验结果可以用铁沉淀生成的热力学和动力学规律解释.
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| 关 键 词： | 硅 铁 沉淀 少数载流子 |
Iron Precipitation in Crystalline Silicon |
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