| 应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性 |
| |
| 引用本文： | 杨荣,罗晋生. 应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性[J]. 半导体学报, 2003, 24(9) |
| |
| 作者姓名： | 杨荣 罗晋生 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
2. 西安交通大学微电子研究所,西安,710049 |
| |
| 摘 要： | 以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.
|
| 关 键 词： | 应变硅锗 pMOSFET 击穿 模拟 分析 |
Breakdown Characteristics of Strained SiGe-Channel pMOSFET |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
