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| 重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力 | |
| 引用本文： | 余学功,杨德仁,马向阳,杨建松,阙端麟.重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力[J].半导体学报,2003,24(6). |
| 作者姓名： | 余学功 杨德仁 马向阳 杨建松 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| 摘 要： | 研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力.将不同程度(～1012cm-2,～1014cm-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低-高三步退火,并由全反射X射线荧光光谱(TRXF)测量退火前后样品表面Cr的含量.结果表明在三种重掺硅中,HB硅片的内吸杂能力最强,HAs硅片次之,HSb硅片最低. |
| 关 键 词： | 重掺直拉硅 氧沉淀 内吸杂 |
Inner Gettering of Heavily-Doping Silicon for Cr |
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| Keywords: | |
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