| 多层Ge量子点的生长及其光学特性 |
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| 引用本文： | 邓宁,王吉林,黄文韬,陈培毅,李志坚.多层Ge量子点的生长及其光学特性[J].半导体学报,2003,24(9). |
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| 作者姓名： | 邓宁 王吉林 黄文韬 陈培毅 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，面向21世纪教育振兴行动计划(985计划) |
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| 摘 要： | 用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV),Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM)为46meV,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用.
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| 关 键 词： | 超高真空化学气相淀积 多层锗量子点 PL谱 |
Growth of Stacked Ge Quantum Dots and Its Optical Characteristics |
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