| 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱 |
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| 引用本文： | 武莉莉,冯良桓,蔡伟,张静全,蔡亚平,郑家贵,朱居木,陈诺夫. 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱[J]. 半导体学报, 2003, 24(8) |
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| 作者姓名： | 武莉莉 冯良桓 蔡伟 张静全 蔡亚平 郑家贵 朱居木 陈诺夫 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学材料科学系,成都,610064
2. 中国科学院半导体研究所,材料科学开放实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.
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| 关 键 词： | 近空间升华 碲化镉薄膜 微结构 光致发光谱 太阳电池 |
Microstructure and Photoluminescence Spectroscopy on CSS Deposited CdTe Films |
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