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| 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 | |
| 引用本文： | 任迪远,陆妩,余学锋,郭旗,张国强,胡浴红,王明刚,赵文魁. 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性[J]. 半导体学报, 2003, 24(7) |
| 作者姓名： | 任迪远 陆妩 余学锋 郭旗 张国强 胡浴红 王明刚 赵文魁 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 2. 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
| 摘 要： | 在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性. |
| 关 键 词： | 注F CMOS运算放大器 电离辐照 跨导 |
Relativity of Radiation Damage in Fluorinated CMOS Operational Amplifiers |
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