|
|||||
|
|
| Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应 | |
| 引用本文： | 于振瑞,杜金会,张加友,李长安,Aceves M.Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应[J].半导体学报,2003,24(11). |
| 作者姓名： | 于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子研究所,天津,300071;军事交通学院基础部,天津,300161 2. 军事交通学院基础部,天津,300161 3. Department of Electronics,INAOE,Puebla,Mexico |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，墨西哥Conacyt资助项目 |
| 摘 要： | 利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C-V测量研究其电荷俘获性质.发现对于n型Si衬底,在横向电压作用下,SRO层能够俘获正电荷,电荷俘获效应与SRO层的性质有关.基于电位在器件内部的分布及诱导pn结的形成,提出了一个简单的物理模型来解释所得到的实验结果. |
| 关 键 词： | 富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结 |
Carge-Trapping Effect of Al/SRO/Si Devices Under Lateral Electrical Stress |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |