| 低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现 |
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| 引用本文： | 石艳玲,忻佩胜,邵丽,游淑珍,朱自强,赖宗声. 低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现[J]. 半导体学报, 2003, 24(9) |
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| 作者姓名： | 石艳玲 忻佩胜 邵丽 游淑珍 朱自强 赖宗声 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系,上海,200062 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，上海市应用材料研究与发展基金 |
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| 摘 要： | 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较.采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线,并通过关键的混合腐蚀技术制备了50Ω和120Ω两种特性阻抗的传输线.由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善.实验中,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了1GHz到40GHz频段的参数测试,利用多线分析技术对测试结果进行了分析.结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低,30GHz处插入损耗约为7dB/cm,较腐蚀前降低了10dB/cm.
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| 关 键 词： | 共平面波导 低阻硅衬底 微机械加工技术 插入损耗 |
Low Loss Microwave MEMS Coplanar Waveguides on Low-Resistivity Silicon |
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