| 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法 |
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| 引用本文： | 胡小华,王圩,朱洪亮,王宝军,李宝霞,周帆,田惠良,舒惠云,边静,王鲁峰. 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法[J]. 半导体学报, 2003, 24(8) |
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| 作者姓名： | 胡小华 王圩 朱洪亮 王宝军 李宝霞 周帆 田惠良 舒惠云 边静 王鲁峰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78%)及EML器件的外量子效率(从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA).
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| 关 键 词： | 电吸收调制DFB激光器 对接外延 LP-MOCVD InGaAsP多量子阱 |
A Novel LP-MOCVD Butt-Joint Growth Method on MQW Electroabsorption-Modulated DFB Lasers |
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