| RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 |
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| 引用本文： | 胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J].半导体学报,2003,24(6). |
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| 作者姓名： | 胡国新 王晓亮 孙殿照 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料.所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2×1018cm-3,相应的电子迁移率为221cm2/(V*s);1μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm2/(V*s),相应的二维电子气面密度为7.5×1012cm-2.
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| 关 键 词： | RF-MBE 二维电子气 HFET AlGaN/GaN |
Two-Dimensional Electron Gas Materials with AlN/GaN Superlattice Structure Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy |
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