| 应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究 |
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| 引用本文： | 钱家骏,徐波,陈涌海,叶小玲,韩勤,王占国. 应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究[J]. 半导体学报, 2003, 24(Z1) |
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| 作者姓名： | 钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 韩勤 王占国 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.
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| 关 键 词： | 应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 MBE生长 |
Optical Characteristics of Strained Self-Organized InAs/GaAs Quantum Dot Materials and Laser Diodes |
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