|
|||||
|
|
| 纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟 | |
| 引用本文： | 周继承,龙思锐,何红波,李义兵. 纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟[J]. 半导体学报, 2003, 24(Z1) |
| 作者姓名： | 周继承 龙思锐 何红波 李义兵 |
| 作者单位： | 中南大学计算科学与信息学研究所,长沙,410075 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部优秀青年教师资助计划 |
| 摘 要： | 介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程.并利用该程序,对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟. |
| 关 键 词： | 隧道结 量子岛 蒙特卡洛方法 计算机模拟 |
Monte Carlo Simulation of Tunneling Nanoelectronics Device |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |