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| GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响 | |
| 引用本文： | 李永平,澜清,吴正龙,周大勇,孔云川,牛智川,田强,杨锡震,王亚非. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响[J]. 半导体学报, 2003, 24(2) |
| 作者姓名： | 李永平 澜清 吴正龙 周大勇 孔云川 牛智川 田强 杨锡震 王亚非 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理系,北京,100875 2. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 3. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高校骨干教师资助计划 |
| 摘 要： | 用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到最大调节量为0.2eV;通过C-V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5ML Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应,通过深能级瞬态谱(DLTS)研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量. |
| 关 键 词： | GaAs/AlAs异质结 Si夹层 XPS测量 C-V测量 DLTS测量 带阶调节 |
Tuning GaAs/AlAs Band Discontinuities and Influence of GaAs at Different Growth Temperatures |
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