| 背面Ar+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响 |
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| 引用本文： | 黄美浅,李观启,李斌,曾绍鸿. 背面Ar+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响[J]. 半导体学报, 2003, 24(3): 307-311 |
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| 作者姓名： | 黄美浅 李观启 李斌 曾绍鸿 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系,广州,510641;华南理工大学应用物理系,广州,510641;华南理工大学应用物理系,广州,510641;华南理工大学应用物理系,广州,510641 |
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| 摘 要： | 研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响.用低能量(550eV) 的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度.饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅-二氧化硅界面的界面态密度的变化有关.
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| 关 键 词： | 背面Ar+轰击 低频噪声 迁移率 界面态 |
Influence of Backsurface Ar+ Bombardment on Low-Frequency Noise Characteristics of n-MOSFET |
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