纳米级电子束直写曝光的基础工艺 |
| |
引用本文: | 刘明,陈宝钦,王云翔,龙世兵,陆晶,李泠.纳米级电子束直写曝光的基础工艺[J].半导体学报,2003,24(Z1). |
| |
作者姓名: | 刘明 陈宝钦 王云翔 龙世兵 陆晶 李泠 |
| |
作者单位: | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
| |
摘 要: | 电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.
|
关 键 词: | 电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正 |
Fundamental Technique of Direct Writing Electron Beam Nano-Lithography |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|