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| 双极RF功率管的深阱结终端 | |
| 引用本文： | 周蓉,胡思福,李肇基,张庆中.双极RF功率管的深阱结终端[J].半导体学报,2003,24(4). |
| 作者姓名： | 周蓉 胡思福 李肇基 张庆中 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系,成都,610054 |
| 摘 要： | 给出了双极RF功率管新的深阱结终端结构.模拟分析表明,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的95%以上.实验结果表明,深阱结终端结构器件DCT260的BVCBO为理想值的94%,比传统终端结构器件高14%;与传统结构相比,在不减小散热面积的情况下,该结构还减小集电结面积和漏电流,器件的截止频率提高33%,功率增益提高1dB. |
| 关 键 词： | 双极RF功率管 深阱结终端 击穿电压 填充介质 |
Deep-Trench Termination of Bipolar RF Power Devices |
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| Keywords: | |
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