| 表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质 |
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| 引用本文： | 李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,王占国.表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 李昱峰 韩培德 陈振 黎大兵 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件.
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| 关 键 词： | InGaN 量子点 MOCVD |
Growth and Property of Surface Stress Induced InGaN Quantum Dots |
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