| 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究 |
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| 引用本文： | 刘杰,沈波,周玉刚,周慧梅,郑泽伟,张荣,施毅,郑有炓. 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究[J]. 半导体学报, 2003, 24(8) |
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| 作者姓名： | 刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性,对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降,说明势垒层中存在表面态.实验数据分析表明:表面态密度约为1013cm-2量级,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大.随着空间隔离层厚度的增加,势垒层中其他局域态密度随之增加.在金属电极和Al0.22Ga0.78N势垒层之间加入Si3N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用,使表面态密度降为～1012cm-2量级.
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| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态 |
Surface States and Other Local States in AlxGa1-xN Barriers of Modulation-Doped AlxGa1-xN/GaN Heterosturctures |
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