| 一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法 |
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| 引用本文： | 石华芬,张海英,刘训春,陈宝钦,刘明,王云翔. 一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法[J]. 半导体学报, 2003, 24(4) |
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| 作者姓名： | 石华芬 张海英 刘训春 陈宝钦 刘明 王云翔 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅.在曝光显影条件变化20%的情况下,InP HEMT成品率达到80%以上;跨导变化范围在590～610mS/mm,夹断电压为-1.0～-1.2V,器件的栅长分布均匀.这种新的结构工艺步骤少,工艺宽容度大,重复性好,大大提高了纳米栅器件的成品率.
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| 关 键 词： | PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构 InP PHEMT 电子束曝光 T型纳米栅 |
A Novel High-Yield InP-Based T-Shaped Nanometer-Gate Fabrication Technique |
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